產品介紹

NEMST-Jet2008II 系列 NEMST-Jet2008

RF/MW噴射式常壓電漿清洗機

RF/MW噴射式常壓電漿清洗機
RF/MW噴射式常壓電漿清洗機
  • CP電漿設計
  • 反應氣體：Ar,Ar+O2,Ar+H2
  • 能量集中，效果佳。
  • 處理間距(距樣品)高。
  • 若非人為損壞，不需更換電極
  • 可單機或線上模組化
  • 屬直接式電漿
  • 可適用各種材料及各形狀材料
  • 反應氣體耗量少。
  • 電漿有效幅寬：Φ6 mm~ Φ10 mm。
  • 處理速度：10 mm/sec~300 mm/sec。
  • 處理間距(距樣品)：5 mm~15 mm。 啟動速度快: < 0.5 sec。
  • 可適用各種材料及各形狀材料。
  • 電漿穩定性、均勻度高。
  • a. LCM中的ITO Lead清潔。
  • b. 各式電子或非電子元件/材料之表面清潔與改質。
  • c. wafer去光阻製程。
  • d.各項材料貼合或塗佈前處理製程。